忆联ESSD以高安全高可靠助推新质生产力发展，加速算力升级

深圳2024年9月11日 /美通社/ -- 近日，2024开放数据中心大会在北京成功举办，在此次大会的新技术与测试技术论坛中，忆联发表了题为"SSD数据安全和可靠性加固"的主题演讲，深入探讨了SSD在安全性与可靠性方面的技术设计及应用实践。
一、强化存储可靠性，筑牢信息防护网
如今，数据中心不再仅仅是存储大量数据的场所，而是成为了处理、加速、展示、计算和存储数据信息的全球协作的特定设备网络，对存储的需求也早已不再只关注容量和速度。忆联表示："作为主流数据存储设备，SSD不仅提供数据的高速存储与高效访问，其安全性和可靠性同样不容忽视。"
一直以来，忆联始终专注于SSD的可靠性和安全性。在此次大会中，忆联专家展示了忆联在中子实验中的测试结果以及所采用的一系列高效可靠性手段。
二、忆联中子实验：可抵抗一定中子辐照的高可靠性
01中子注量对比
忆联与国内知名实验室联合展开了中子试验，通过模拟高辐射环境，对企业级SSD在高强度中子注量下的可靠性进行了测试。中子实验参照了国内地面条件下中子注量最多的阿里地区进行对比，确保测试环境的严苛性和代表性。实验中的中子辐照强度远超阿里地区的自然中子通量，在5分钟时，实验室环境中子注入量远超阿里地区自然中子量约1,880,000倍，验证了SSD在极端环境下的可靠性。

（中子实验：中子注量对比）

02 DDR_ECC/UNC运行结果
在高辐射环境下，大量中子通量可能导致电子设备出现比特翻转等故障。忆联SSD在实验中通过DDR_ECC（错误检测和纠正）与UNC（未纠正错误）功能，能够有效地检测和修正比特翻转问题，确保数据的完整性和可靠性。实验结果显示，忆联SSD的纠错能力表现优异，能够应对复杂的环境挑战。

（中子实验：DDR_ECC/UNC运行结果）

03 UH8系SSD正常运行时间
忆联UH8系列企业级SSD在实验中表现出了极高的抗中子辐照能力，其平均安全运行时间达到12.3分钟。这一结果显著超越了阿里地区中子注量率基准下运行5年寿命的83秒换算标准，表明忆联SSD在高中子通量环境下具有更长的寿命和更高的可靠性，确保了关键数据的安全存储。

（中子实验：UH8系SSD正常运行时间）

三、忆联 LDPC纠错能力领先
忆联SSD采用先进的LDPC（低密度奇偶校验）纠错算法，与自研的介质管理算法相结合，支持更高的纠错范围，大幅提升了企业级SSD的寿命和可靠性。忆联产品的UBER（未更正的位错误率）指标达到1E-18，远高于业界平均的1E-17水平，有力保障了存储产品在不同使用场景下的高可靠性。

（领先的LDPC纠错能力）

01元数据分级备份
忆联企业级SSD还具备元数据分级多备份设计，提供从Level 1到Level 3的多级保护机制。元数据分级多备份包括集中存储、分布式存储、以及闪存OOB区域保护，确保在低层级元数据遭到破坏时，能够逐级恢复数据，进一步提高数据存储的可靠性和安全性。

（元数据分级备份）

忆联深知在数字化转型的浪潮中，新质生产力的崛起是推动经济高质量发展和构建现代化产业体系的关键。为此，忆联持续聚焦技术创新与产品研发，致力于打造符合千行百业实际需求的存储解决方案，通过不断优化产品性能、提升用户体验，能够为各行各业提供强有力的存力支撑，成为新质生产力的强大赋能者，推动新质生产力快速发展。

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