芯联集成“一种半导体结构及其形成方法”专利公布

芯联集成电路制造股份有限公司近日公布一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利（申请公布号：cn118899257a，申请公布日：2024年11月5日）。

该专利提出一种新型半导体结构，它包含：衬底；覆盖衬底的层间介质层；贯穿层间介质层并延伸至衬底的接触孔；覆盖接触孔底壁和侧壁的第一粘合层；填充接触孔的导电插塞；位于层间介质层和导电插塞表面的第二粘合层（硬度高于第一粘合层）；以及覆盖第二粘合层的金属电极层。

专利技术亮点在于利用第二粘合层作为金属电极层与层间介质层间的结合层。由于第二粘合层硬度高于第一粘合层，可有效隔离金属电极层对衬底的影响，从而提升打线强度。此外，在形成第二粘合层前去除第一粘合层，避免了因粘合力不足导致的剥落问题，确保器件性能稳定可靠。

以上就是芯联集成“一种半导体结构及其形成方法”专利公布的详细内容，更多请关注慧达安全导航其它相关文章！