三安半导体“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”专利获授权

湖南三安半导体近日获得一项关于“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”的实用新型专利授权（授权公告号：cn221918322u，授权公告日：2024年10月29日，申请日：2023年11月30日）。

该专利技术涉及一种新型碳化硅复合籽晶及其生长装置。其核心在于籽晶的设计，它包含中间部分和边缘部分。边缘部分环绕中间部分设置，中间部分为偏轴籽晶，而边缘部分至少部分为正轴籽晶。这种设计巧妙地利用了偏轴籽晶的小平面区域作为模板，通过升华生长法复制籽晶多型体，降低了晶型转变的风险。同时，边缘区域的正轴籽晶有效解决了台阶束聚集问题，减少了堆垛层错的产生，最终降低了碳化硅晶体的缺陷率，提升了晶体质量。

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